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MOSFET简介 v 它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。MOSFET共有三个脚，一般为G(栅极)、S(源极)及D(漏极)，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。 v 功率MOSFET是一种多子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频特性好、热稳定性优良、驱动电路简单、驱动功率小、安全工作区宽、无二次击穿问题等显著优点。 v 自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高： v 如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOm欧；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善。并开发出各种贴片式功率MOSFET，另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。 v 电压控制元件 v 三极管基极与发射极间内阻较小，并且基极电流与集电极电流有对应关系，所以说三极管是电流控制元件。场效应管在控制端与漏极源极间电阻很大，几乎无电流，而靠控制极上施加的电压大小引起漏源极间电流发生变化，所以说场效应管是电压控制元件。 v 功率MOSFET与双极型功率相比具有如下特点： v 1．MOSFET是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较简单； v 2．输入阻抗高，可达108欧以上； v 3．工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小； v 4．有较优良的线性区，并且MOSFET的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，合适制作Hi-Fi音响； v 5．功率MOSFET可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。 KIA设计生产的MOSFET以具有低内阻、高耐压、快速开关、雪崩能量高等特点，设计电流跨度1A-200A，电压跨度30V-1200V。我们可以根据客户的应用领域和应用方案的不同，对MOSFET本身的电性参数做出适当的调整，提高客户产品的可靠性、整体转换效率和产品的价格竞争力.