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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：13.6 A
Rds上漏源导通电阻：9.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1 V
Qg-萘甲酸：9.3 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：22 S
下降时间：7.3 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：2.7 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：9.7 ns
典型起始延迟时间：6.3 ns
零件号别名：IRF7821TRPBF SP001577448
单位重量：506.600毫克
应用领域
•用于网络和计算系统的高频负载点同步降压转换器。
•无铅
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS（on）
•低门收费
•全面表征雪崩电压和电流
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
30 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
|
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
13.6 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
11 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
100 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation © |
2.5 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation © |
1.6 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 155 |
°C |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJL |
Junction-to-Drain Lead (1) |
––– |
20 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient ©(1) |
––– |
50 |